隨著晶體管尺寸的不斷微縮,晶圓制造工藝日益復(fù)雜,對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來(lái)越高。
清洗工藝是貫穿整個(gè)半導(dǎo)體制造的重要環(huán)節(jié),是影響半導(dǎo)體器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造過(guò)程中,任何的沾污都可能影響半導(dǎo)體器件的性能,甚至引起失效。因此,幾乎在芯片制造的每一道工序前后,都需要進(jìn)行清洗工藝,去除表面的污染物,保證晶圓表面的潔凈度,尤其在拋光、刻蝕等工藝后,晶圓表面會(huì)附著一些顆粒、金屬、有機(jī)物、自然氧化層等雜質(zhì)
但清洗對(duì)象千變?nèi)f化,可以遇到的材質(zhì)種類也非常復(fù)雜,我們無(wú)法用一兩種清潔劑滿足所有材質(zhì)的清洗**性,則清潔劑的組分設(shè)計(jì)以及產(chǎn)品結(jié)構(gòu),就必須充分考慮不同類型的設(shè)備所包含材料的材質(zhì)特性,保證清潔劑在正確使用時(shí),對(duì)所清洗對(duì)象的材質(zhì)沒(méi)有損傷。
清洗劑的濃度與清洗效果有很大的關(guān)系,一般隨著濃度的增加,去污能力也相應(yīng)的增強(qiáng),但達(dá)到一定濃度后,去污能力不再明顯提高。一般濃度控制在3%-5%為宜。
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